高稳定性LED芯片

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• 发布时间：2014-12-10
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    近日，由扬州大学物理学院承担的我省科技攻关项目大功率高亮度LED芯片研究取得重大进展，首批试制样品已上线接受1000小时的性能测试。这款由我国自主研发的新光源芯片，将用于替代国外同类产品。据了解，作为光电强省，我省去年开始展开高性能LED芯片的研究。扬大物理学院光电研究中心与扬州华夏光电合作，对国产芯片的电极形状进行优化设计，着力解决发热量大、衰减快、发光效率低等稳定性问题，以提高其使用寿命和发光效率。目前首批新型芯片样品已经试制成功，并已经获得3项国家专利，经过1000小时连续带电测试后，研究人员还将对细节进行改进，新芯片的稳定使用寿命约能提高到5万小时以上。

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