联系电话:
0311-89285493PRODUCT LIST
半导体LED灯替代白炽灯与日光灯是大势所趋,在这一领域,日美等国占尽先机,分别垄断了蓝宝石衬底和碳化硅衬底半导体LED技术路线。在此情况下,教育部发光材料与器件工程研究中心(南昌大学)创造性发展了一条新的半导体LED技术路线———硅衬底半导体LED技术路线,改变了日美等国垄断这一领域核心技术的局面,改写了世界LED历史。经过3000多次实验,江风益和他的团队顶住了业界的怀疑与不解,无怨无悔地坚守着硅衬底技术,终于从跟踪走向了跨越,发明了一种特殊过渡层和特定的硅表面加工技术,克服了外延层和衬底之间巨大的晶格失配和热失配,在第一代半导体硅材料上,成功地制备了高质量的量子阱结构的第三代半导体GaN材料,研制成功硅衬底蓝光、绿光和白光LED。其发光效率、可靠性与器件寿命等各项技术指标在同类研究中处于国际领先地位,并在国际上率先实现了这一新技术产品的批量生产。采用该成果生产的LED芯片成本显著低于蓝宝石衬底和碳化硅衬底LED芯片。该技术对蓝光LED来说是一种改写历史的新技术。该成果还制备出全球第一块硅衬底LED全彩色显示显像屏(其中蓝光和绿光LED是在硅衬底上制备的)。
本文源自http://www.hangkongzhangaideng.com/xwdt/530.html,转载请注明出处。
(责任编辑:航空障碍灯http://www.hangkongzhangaideng.com)